"神舟3号"上生长Cd1-xZnxTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究

量子电子学报 , 2005, 22(2): 238-242. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2005.02.022

"神舟3号"上生长Cd1-xZnxTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究

刘劼 ^1, , 李志锋 ^2, , 沈杰 ^3, , 林杏朝 ^4, , 刘诗嘉 ^5, , 龚海梅 ^6,

1.红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

2.红外物理国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

3.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

4.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

5.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

6.传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083

基金项目: 中国科学院资助项目(60244002、10234040) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G1998061404)

关键词：显微荧光 , CdZnTe , Zn组分 , 平面分布 , 扫描

Study on Zn composition distributions in Cd1-xZnxTe wafers grown in the Shenzhou 3 by micro-photoluminescence

用显微荧光(μ-PL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdznTe晶片中zn组分分布的研究.对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行了拟合,得到测量点的禁带宽度参数Eg,其分布对应于CdznTe中zn的组分分布.测量结果给出了空间生长晶片zn组分布的变化趋势和统计规律.作为比较,测量并分析了一块采用相同方法在地面生长的CdznTe晶片.

参考文献

[1]	Maxey C D, Gower J E, Capper P, et al. Zn concentration determination in CdZnTe by NIR spectroscopy [J].Journal of Crystal Growth, 1999, 197: 427-434.
[2]	Zhang Kecong, Zhang Lehui. Science and Technology of Crystal Growth (volume 1) 2nd ed. (晶体生长科学与技术(上册)第二版) [M]. Beijing: Science Press, 1997. 161 (in Chinese).
[3]	Li Z F, Lu W, Huang G S, et al. Microphotoluminescence mapping on CdZnTe: Zn distribution [J]. J. of Appl.Phys., 2001, 90(1): 260-264.
[4]	Olego D J, Faurie J P, Sivananthan S, et al. Optoelectronic properties of Cdi_xZnxTe films grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates [J]. Appl. Phys. Lett., 1985, 47(11): 1172-1174.

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