入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

量子电子学报 , 2007, 24(4): 514-518. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.023

入射介质对GaN基分布布拉格反射器的反射谱影响

郑树文 ^1, , 范广涵 ^2, , 李述体 ^3, , 周天明 ^4,

1.华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631

2.华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631

3.华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631

4.华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631

基金项目: 广东省广州市科技计划(2005Z1-D0071)

关键词：光电子学 , 布拉格反射器 , 传输矩阵法 , GaN基 , 入射介质

Influence of different incident medium on reflectance spectra of the GaN-based distributed Bragg reflector

利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析.计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系.根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式.分析了从空气和Al0.4Ga0.5In0.1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异.为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构.分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势.

参考文献

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Influence of different incident medium on reflectance spectra of the GaN-based distributed Bragg reflector

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