4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究

量子电子学报 , 2011, 28(6): 737-741. doi: 10.3969/j.issn.1007-5461.2011.06.016

4H-SiC紫外光电探测器光电特性随温度变化的研究

郑云哲 ^1, , 林冰金 ^2, , 张明昆 ^3, , 蔡加法 ^4, , 陈厦平 ^5, , 吴正云 ^6,

1.厦门大学物理系,福建厦门 361005;福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门 361005

2.厦门大学物理系,福建厦门,361005

3.厦门大学物理系,福建厦门 361005;厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心,福建厦门 361005

4.厦门大学物理系,福建厦门 361005;福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门 361005

5.厦门大学物理系,福建厦门 361005;福建省半导体材料及应用重点实验室,福建厦门 361005

6.厦门大学物理系,福建厦门 361005;厦门大学萨本栋微纳米技术研究中心,福建厦门 361005

基金项目: 福建省自然科学基金资助项目(2009J05151)

关键词：光电子学 , 4H-SiC , p-i-n紫外光电探测器 , 温度特性 , 光电特性

Photoelectric properties of 4H-SiC UV photodetector at various temperatures

利用光电流谱法研究了300 K到60 K温度范围内的p-i-n结构4H-SiC紫外光电探测器的暗电流及相对光谱响应特性.研究发现随着温度的降低,探测器的暗电流和相对光谱响应都逐渐减小；而且,反向偏压越高,暗电流减小的速率越大.在零偏压下,随着温度的降低,器件的相对光谱响应的峰值波长先向短波方向移动,后向长波方向移动,在60 K时移至282 nm附近；同时观察到探测器的相对光谱响应范围略有缩小.此外,我们对器件p、i、n各层产生的光电流随温度变化的机理进行讨论,提出了通过减少i层缺陷和适当减小n层掺杂浓度的方式来提高器件的相对光谱响应.

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