介绍了化学气相沉积法制备难熔金属钼膜层的原理和方法.以MoF6和H2为原料,采用化学气相沉积法在纯铜基体上沉积出难熔金属钼膜层.分析研究了沉积层的组织、结构和硬度.实验结果表明:沉积膜层显微组织随沉积温度变化而不同,沉积温度较低时沉积层显微组织为细晶层状结构,沉积层硬度可达677HV;沉积温度较高时沉积层显微组织为致密的柱状晶,硬度稍高于一般烧结钼.
参考文献
[1] | 殷为宏.现代高科技中的钼[J].中国钼业,1997(21):27-33. |
[2] | 胡德昌;胡滨.航天航空用新材料--难熔金属及其合金[J].航天工艺,1996(03):34-40. |
[3] | I-Shun Chang;Min-Hsiung Hon .Growth characteristics and electrical resistivity of chemical vapordeposited tungsten film[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1998(1/2):108-113. |
[4] | Chang I S;Hon M H .Influence of deposition parameters on the texture of chemical vapor deposit tungsten films by a WF6/H2/Ar gas source[J].Journal of the Electrochemical Society,1998,145(09):3235-3240. |
[5] | Wolf H.;Schulz SE.;Gessner T.;Streiter R. .GROWTH RATE MODELING FOR SELECTIVE TUNGSTEN LPCVD[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,1995(1/4):332-338. |
[6] | Nausikaa B H;Van Hoornick;Jan A B et al.Recovery of tungsten from the exhaust of a tungsten chemical vapor deposition[J].Journal of the Electrochemical Society,2000,147(06):4665-4670. |
[7] | 李汉广.独连体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术(上)[J].稀有金属与硬质合金,1994(04):59-62. |
[8] | 李汉广.独连体国家的难熔金属氟化物化学气相沉积技术(下)[J].稀有金属与硬质合金,1995(01):48-51. |
[9] | 张久兴,刘科高,王金淑,周美玲,左铁镛.放电等离子烧结钼的组织和性能[J].中国有色金属学报,2001(05):796-800. |
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