介质损耗试验时,传统做法和理论分析均采用正接法,因为正接法对并联在被试设备两端的电容有良好的屏蔽作用.但试验发现并联电容易造成介损值偏大.通过试验和理论分析发现,由于套管氧化层电阻的影响.如果在回路中串联了接触电阻,则并联在被试设备两端的电容就会对整个测量系统造成影响,且电容量在回路中占总电容量的比例越大,对介损值的影响也就越大.
参考文献
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| [5] | 邱光源.电路[M].北京:高等教育出版社,1999 |
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