金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

材料与冶金学报, 2011, 10(3): 193-197. doi: 10.3969/j.issn.1671-6620.2011.03.009

金属有机沉积法制备SrTiO3薄膜

罗清威 ^1, , 冉阿倩 ^2, , 李凤华 ^3, , 李英楠 ^4, , 洪成哲 ^5, , 樊占国 ^6,

1.东北大学材料与冶金学院,沈阳110819;金策工业综合大学物理工程研究所,朝鲜平壤

2.东北大学材料与冶金学院,沈阳110819;金策工业综合大学物理工程研究所,朝鲜平壤

3.东北大学材料与冶金学院,沈阳110819;金策工业综合大学物理工程研究所,朝鲜平壤

4.东北大学材料与冶金学院,沈阳110819;金策工业综合大学物理工程研究所,朝鲜平壤

5.金策工业综合大学物理工程研究所,朝鲜平壤

6.东北大学材料与冶金学院,沈阳110819

关键词：金属有机沉积 , 涂层导体 , SrTiO3 , 缓冲层 , 烧结时间

Preparation of SrTiO3 thin films by metal organic deposition method

采用金属有机沉积( MOD)法制备了SrTiO3 (STO)外延薄膜作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.以乙酸锶、钛酸丁酯为前驱物配制了Sr离子浓度为0.125 mol ·L-1的SrTiO3前驱溶液.研究了950℃下不同烧结时间(90、120、150 min)对在双轴织构的Ni -W(200)金属基带上沉积STO外延薄膜晶体取向和微观形貌的影响.结果表明,在950℃氩氢混合气氛(Ar - 4％ H2)下适宜于STO薄膜外延生长的最佳烧结时间为120 min；STO缓冲层薄膜表面平整致密,无裂纹和孔洞,具有良好取向,可作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层.

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