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采用Sol-gel方法制备了GeO2-SiO2复合薄膜,并用H2/N2还原使得GeO2转变成G e微晶而镶嵌在SiO2的玻璃网格中,其平均晶粒尺寸小于4nm.随着热处理时间的增加,240nm处吸收峰的强度随之增大,并且其吸收边产生红移,说明Ge微晶的含量及晶粒尺寸都在增大.

参考文献

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