氮化硅粉体的水基流延研究

材料科学与工程学报, 2000, 18(z1): 234-236. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z1.055

氮化硅粉体的水基流延研究

张景贤 ^1, , 江东亮 ^2, , 谭寿洪 ^3, , 归林华 ^4, , 阮美玲 ^5,

1.高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中科院上海硅酸盐研究所,上海,200050

2.高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中科院上海硅酸盐研究所,上海,200050

3.高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中科院上海硅酸盐研究所,上海,200050

4.高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中科院上海硅酸盐研究所,上海,200050

5.高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,中科院上海硅酸盐研究所,上海,200050

关键词： zeta , 电位 , 分散剂 , 浆料 , 流延膜

本文采用国产的α-氮化硅粉(d50=1μm),测定了粉体的zeta电位.根据粉体的表面性质,选用聚丙烯酸钠作为分散剂,分析了pH值、分散剂对氮化硅粉体zeta电位以及浆料粘度的影响,确定了良好分散的Si3N4浆料的pH值和分散剂含量分别为10和1wt%.选用PVA为粘结剂,PEG为塑性剂,二者在浆料中的含量分别为5wt%和2.5wt%.最后,制备了氮化硅水基流延膜,并用SEM对得到的流延膜进行了表征.

参考文献

[1]	司文捷;GrauleT J;Baader FH;GaucklerL J .[J].硅酸盐学报,1996,24(01):32.

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