UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

材料科学与工程学报, 2001, 19(2): 33-35. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.02.009

UHV/CVD硅外延的实时硼掺杂研究

王亚东 ^1, , 黄靖云 ^2, , 叶志镇 ^3, , 汪雷 ^4, , 马德群 ^5, , 赵炳辉 ^6,

1.浙江大学微系统研究与开发中心,

2.浙江大学微系统研究与开发中心,

3.浙江大学微系统研究与开发中心,

4.浙江大学微系统研究与开发中心,

5.浙江大学微系统研究与开发中心,

6.浙江大学微系统研究与开发中心,

基金项目: 浙江省资助项目

关键词：超高真空化学气相沉积 , 实时B掺杂 , 硅外延

The Investigation of Real Time B-doped Si Grown by UHV/CVD

本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD)在720℃Si(100)衬底上进行了实时B掺杂的硅外延.采用二次离子质谱仪(SIMS),傅立叶红外光谱(FTIR),扩展电阻仪(SRP)对外延层的性能进行研究.研究表明:720℃生长时已经实时掺入了B原子,1000℃退火5分钟后,外延层中B原子被激活,浓度达到1017～1O18cm-1,且过渡层分布陡峭.

参考文献

[1]	G L Patton.[J].Electron Device,1990(11):171.
[2]	B S Meyerson .[J].Applied Physics Letters,1986,48:797.
[3]	M.Racanelli et al.[J].Applied Physics Letters,1991(58):2117.
[4]	K Ismail et al.[J].Applied Phys Lett,1991(59):3162.
[5]	叶志镇,姜小波,袁骏,李剑光.超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究[J].半导体学报,1996(05):380.
[6]	J F Morar;B S Meyerson A .[J].ppl Phys Lett,1987(50):463.

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