掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究

材料科学与工程学报, 2001, 19(3): 92-94. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.018

掺锡C60薄膜材料的电子结构与电导性研究

伍春燕 ^1, , 张海燕 ^2, , 何艳阳 ^3, , 梁礼正 ^4, , 朱艳娟 ^5, , 张春华 ^6,

1.广东工业大学应用物理系

2.广东工业大学应用物理系

3.广东工业大学应用物理系

4.广东工业大学应用物理系

5.广东工业大学应用物理系

6.广东工业大学应用物理系

基金项目: 广东省自然科学基金(980419)

关键词：锡掺杂 , 紫外可见光吸收 , 电阻

Structure and Conductivity of Sn-deped C60 Thin Films

本文报道了锡掺杂C60薄膜样品的扫描电镜,X射线衍射,紫外可见吸收光谱和电阻随温特性的测量结果;显示样品由纳米级颗粒组成,为面心立方结构,掺杂锡原子在禁带中形成施主能级,电阻随温度增加呈指数衰减,霍耳效应证实为N型半导体.

参考文献

[1]	Skumanich A .[J].Chemical Physics Letters,1991,182:486.
[2]	谢希德,叶令.从“布基球”到“布基管”和“布基洋葱”[J].物理,1994(01):7.
[3]	A F Hebard;M J Rosseinsky;R C Haddon;D W.Murphy S.H.Glarum, T.T.M.Palstra, A.P.Ramirez and A.R.Kortan .[J].NATURE,1991,350:600.
[4]	M J Rosseinsky;A P Ramirez;S H Glarum et al.[J].Physical Review Letters,1991,66:2830.
[5]	K Holczer;O Klein;S M Huang et al.[J].Science,1991,252:1154.
[6]	Hisashi Sekine;Hiroshi Maeda;Michio Kosuga;Yoshiaki Tanak a and Madoka Yokumoto .[J].Journal of Applied Physics,1992,72:5448.
[7]	Th Zenner;H Zabel .[J].Journal of Physical Chemistry,1993,94:8690.
[8]	L W Song;K T Fredett;D D L Chung;Y H.Kao .[J].Solid State Communications,1993,87:387.
[9]	Yoshiyuki Miyamoto;Atsushi Oshiyama;Susumu Saito .[J].Solid State Communications,1992,82:437.
[10]	J.I.Pankove.[M].Optical processes in semiconductors (Dover Publicatio ns Inc New york,1975
[11]	N Ke;W Y Cheung;S P Wong .[J].炭素,1997,35:759-762.
[12]	刘恩科;朱秉升.半导体物理[M].

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