LPCVD水解法制备TiO2薄膜

材料科学与工程学报, 2003, 21(3): 331-334. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2003.03.004

LPCVD水解法制备TiO2薄膜

李文漪 ^1, , 李刚 ^2, , 蔡峋 ^3, , 孙彦平 ^4, , 赵君芙 ^5,

1.上海交通大学教育部高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030

2.上海交通大学分析测试中心,上海,200030

3.上海交通大学教育部高温材料及高温测试开放实验室,上海,200030

4.太原理工大学化学工程与技术学院,山西,太原,030024

5.太原理工大学化学工程与技术学院,山西,太原,030024

关键词：化学气相沉积 , 二氧化钛 , 水解 , 动力学

Growth of Titanium Dioxide Thin Films by LPCVD

本文利用LPCVD法水解四异丙醇钛(TTIP)制备TiO2薄膜,研究了制备过程中水解TTIP的反应动力学.通过对沉积温度和沉积率关系的研究,计算出TTIP水解反应表观活化能为59.85kJ/mol.沉积温度不仅影响反应速率,还对TiO2薄膜结构、表面形貌有决定性的作用.XRD和Raman分析表明:TRIP水解法制备TiO2薄膜,薄膜结构主要依赖于沉积温度.180℃～220℃沉积TiO2薄膜为非晶态,240℃～300℃沉积为锐钛矿和非晶态混杂结构.在水分压对TTIP水解反应影响的研究中发现,水分压为零时,TTIP发生热解反应,TiO2沉积率不为零,热解反应240℃无锐钛矿特征峰出现.这说明水解反应制备TiO2有利于降低锐钛矿的生长温度.氧分子的加入可以消除TiO2薄膜表面的"针孔".

参考文献

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