在外加电场的条件下利用物理热蒸发法制备硫化镉晶须,借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪,研究外加电场对硫化镉晶须生长的影响.结果表明硫化镉晶须的生长应遵循氧化物辅助生长机制;无论外加电场存在与否,沉积温度越高,硫化镉晶须越粗越长,但是沉积温度对硫化镉晶须的形状没有影响;在有电场和无电场条件下的硫化镉晶须的形貌有很大差异,外加电场大大促进了硫化镉晶须沿一维方向上的生长,这可以由带电团簇模型来解释.
参考文献
| [1] | 吴兴才 .同轴纳米线与半导体纳米线的制备及物性研究[D].中国科学院固体物理研究所,2001. |
| [2] | 周永溶.半导体材料[M].北京:北京理工大学出版社,1992 |
| [3] | 张立德;牟季美.纳米材料和纳米结构[M].北京:科学出版社,2002:300. |
| [4] | Jazzman;X Yang;D Wang .[J].Advanced Materials,2000,12:1348. |
| [5] | D S Xu;Y J Xu;D P Chen;G.L.Gao L.L.Gui Y.Q.Tang .[J].Advanced Materials,2000,12:520. |
| [6] | J Yang;J H Zeng;S H Yu;L.Yang, G.E.Zhou, Y.T.Qian .[J].Chemistry of Materials,2000,12:3259. |
| [7] | 曹茂盛;曹传宝;徐甲强.纳米材料学[M].哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2002:74. |
| [8] | Y Q CHEN;K.Zheng,et .Temperature Dependence of Morphology and Diameter of Silicon Nanowires Synthesized By Laser Ablation[J].Chemical Physics Letters,2002,358:396. |
| [9] | 薛增泉;吴全德;李洁.薄膜物理学[M].北京:电子工业出版社,1991:114. |
| [10] | 范宏昌.热学[M].北京:科学出版社,2003:315. |
| [11] | 周奇.连续媒质电动力学[M].北京:人民教育出版社:49. |
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