热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究

材料科学与工程学报, 2005, 23(4): 589-592. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2005.04.030

热蒸发铜粉法制备硅纳米线的研究

刘建刚 ^1, , 范新会 ^2, , 陈建 ^3, , 于灵敏 ^4, , 严文 ^5,

1.西安工业学院,材料与化工学院,陕西,西安,710032

2.西安工业学院,材料与化工学院,陕西,西安,710032

3.西安工业学院,材料与化工学院,陕西,西安,710032

4.西安工业学院,材料与化工学院,陕西,西安,710032

5.西安工业学院,材料与化工学院,陕西,西安,710032

基金项目: 陕西省教育厅资助项目陕西省重点实验室基金陕西省自然科学基金(2001C56) 教育部优秀青年教师资助计划

关键词：热蒸发 , 硅纳米线 , 气-液-固机制 , 氧化辅助生长机制

Synthesis of Silicon Nanowires by Thermally Evaporating Copper Powders

研究发现,热蒸发铜粉即可在硅衬底上直接生长出硅纳米线.场发射电子扫描电镜和透射电镜分析表明,纳米线的形貌、结构及生长机制,随沉积区域的不同而变化.在高温沉积区,硅纳米线高度弯曲且相互缠绕,按气-液-固机制生长;在低温沉积区,高度定向生长的直硅纳米线,规整地排列在硅衬底表面,其生长机制是氧化辅助生长机制.

参考文献

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