Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容-压敏双功能陶瓷的影响

材料科学与工程学报, 2006, 24(6): 877-879. doi: 10.3969/j.issn.1673-2812.2006.06.020

Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容-压敏双功能陶瓷的影响

胡连峰 ^1, , 唐超群 ^2, , 周文斌 ^3, , 薛霞 ^4, , 黄金球 ^5, , 马新国 ^6,

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关键词： TiO2 , Bi2O3掺杂 , 电容-压敏 , 非线性

Effect of Bi2O3 Doping on Nb2O5-TiO2 Capacitor-Varistor Double Functional Ceramics

研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响.实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104.烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V·mm-1.

参考文献

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