高氮分压对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响

有色金属工程, 2015, 5(4): 9-12. doi: 10.3969/j.issn.2095-1744.2015.04.003

高氮分压对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响

万小涵 ^1, , 张广清 ^2, , John Sharp ^3, , Oleg Ostrovski ^4, , 俞乐 ^5,

1.澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052

2.澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院,澳大利亚卧龙岗2522

3.澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052

4.澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052

5.澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院,澳大利亚悉尼2052

关键词：高压 , Si3N4稳定性 , 连续反应

Effect of Elevated Nitrogen Pressure on Silicon Nitride Synthesis with Carbothermal Process

Keywords： elevated nitrogen pressure , Si3N4 stability , series reaction

碳热还原/氮化合成氮化硅在1 450～1 650℃、氮气分压700～1 100 kPa下进行.非晶二氧化硅与石墨粉末以n(C)/n(SiO2)=4.5比率混合、压片.样品中的氧、氮、碳含量通过LECO元素分析仪测得.反应物和生成物中各物质组成通过XRD定性分析.结果表明,通过增加氮气分压,氮化硅的稳定温度升高,二氧化硅的还原速率随着温度升高而变大.碳化硅的生成仍无法避免.与常压下的碳热还原/氮化反应一致,高压下的碳化硅和氮化硅的生成亦为连续反应.

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