利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备了SnO2薄膜.实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响.实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5.5时,SnO2薄膜的电阻分布变得越来越不均匀.
参考文献
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