作为半导体用的铜靶材,其晶粒大小严重影响溅镀薄膜的品质,靶材晶粒的细化技术成为关键.依据转底炉法原理制备了一种片状铜,并对其晶粒尺寸的变化进行了研究,通过分析发现:坩埚底孔直径越小,底转盘转速越快,底转盘传热越好;在底转盘冷却效果好的情况下,下落点离底转盘的边缘越近,铜带的晶粒越小.
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