Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究

功能材料, 2004, 35(z1): 2813-2818.

Ag(TCNQ)纳米线的制备和场发射性能研究

叶春暖 ^1, , 莫晓亮 ^2, , 徐华华 ^3, , 韩成赫 ^4, , 曹冠英 ^5, , 孙大林 ^6, , 陈国荣 ^7,

1.复旦大学,材料系,上海,200433

2.复旦大学,材料系,上海,200433

3.复旦大学,材料系,上海,200433

4.复旦大学,材料系,上海,200433

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7.复旦大学,材料系,上海,200433

关键词：气-液-固反应 , Ag(TCNQ)纳米线 , 场发射

Synthesis and field emission properties of Ag(TCNQ) nanowires

采用气-液-固反应方法在硅片上制备了取向金属有机配合物Ag(TCNQ)纳米线.样品的XRD特征峰与Ag(TCNQ)相对应;SEM形貌显示纳米线几乎垂直基片生长,直径在50～300nm,长度在2～50μm.初步对其场发射性能进行了研究,所得Ag(TCNQ)纳米线的最低场发射开启电压约为1.5Vμm-1,最大发射电流密度约为0.03mAcm-2,此时对应的电场约为2.5Vpm-1.由测量所得I-Ⅴ曲线得到的FoWler-Nordheim(F-N)曲线近似为一条直线,说明样品具有场发射性能.重复实验表明,Ag(TCNQ)纳米线的场发射具有一定的稳定性.结合纳米线制备工艺,初步分析了场发射性能的影响因素.

参考文献

[1]	Yahachi Saito;Sashiro Uemura .[J].Carbon,2000,38:169-182.
[2]	Lee N S;Chung D S;Han I T et al.[J].Diamond and Related Materials,2001,10:265-270.
[3]	莫晓亮,杨剑,姚彦,徐华华,楼成飞,王大伟,卢嘉,陈国荣.Ag（TCNQ）纳米线的制备和电学特性研究[J].功能材料,2003(06):671-672,675.
[4]	Spindt C A;BrodieI;Humphrey L et al.[J].Journal of Applied Physics,1976,47(02):5248-5263.
[5]	朱亚波,王万录,廖克俊.对碳纳米管阵列的场发射电场增强因子以及最佳阵列密度的研究[J].物理学报,2002(10):2335-2339.

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