近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+的制备及性能研究

人工晶体学报, 2015, 44(11): 3280-3291.

近紫外光LED芯片用红色荧光粉SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+的制备及性能研究

龚文丽 ^1, , 钟瑞霞 ^2, , 齐建全 ^3, , 刘自然 ^4, , 张晓燕 ^5,

1.东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,秦皇岛,066004

2.东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,秦皇岛066004;东北大学秦皇岛分校河北省电介质与电解质重点实验室,秦皇岛066004

3.东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,秦皇岛,066004

4.河北科技师范学院凝聚态物理研究所,秦皇岛,066004

5.东北大学秦皇岛分校资源与材料学院,秦皇岛,066004

基金项目: 东北大学基本科研业务费(N130423002,N130423001) 河北省自然科学基金(E2013501035) 河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(14961108D) 清华大学新型陶瓷和精细工艺国家重点实验室开放基金(KF201410) 国家自然科学基金青年基金(11204027)

关键词：近紫外激发 , 红色荧光粉 , SrIn2O4 , Eu3+,Sm3+

Study on Luminescent Properties of SrIn2O4 ∶ Eu3+ , Sm3+Red-emitting Phosphor for White Light-emitting Diodes

Keywords： TNUV excited , red phosphor , SrIn2O4 ∶ Eu3+ , Sm3+ ,

利用高温固相法制备了EH3+、Sm3单掺杂及共掺杂的SrIn2O4荧光材料.通过XRD、激发光谱、发射光谱等对SrIn2O4∶ Eu3+、SrIn2O4∶ Sm3+、SrIn2O4∶ Eu3+,Sm3+进行表征.结果表明,SrIn2O4∶ Eu3+在近紫外光395 nm激发下能够有效的产生616 nm的红光发射.在SrIn2 O4∶Sm3+体系中发现,该系列样品适合于407 nm的紫光激发,发射峰位于607 nm.在SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+体系中,通过光谱分析发现,基质中存在Eu3和Sm3激活剂之间的相互能量传递过程.该能量传递过程使SrIn2O4∶Eu3+,Sm3+更适合于390～410 nm紫外芯片激发的LED用红色荧光粉.

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