SiC是一种宽带隙半导体材料，在高温、高频、大功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。介绍了国外对该材料及其薄膜进行辐照的一些结果，并指出开展SiC及其薄膜辐照效应研究的重要意义，预测了其发展方向和应用前景。
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