用光激发荧光谱术分析测量磁控溅射Co-Cr-Al(Y)纳米涂层经1000, 1100和1200℃氧化后Al2O3膜中的残余应力, 获得如下结果: (1) 残余应力随氧化温度升高而增大; (2) 暂态氧化出现的区域应力值明显低于无暂态氧化的区域; (3) 两种涂层1000℃下形成的氧化膜中的残余应力相差不大, 但在1100℃和1200℃下, 含Y涂层形成的氧化膜中的残余应力比不含Y中的高. 对实验结果进行了分析.
参考文献
| [1] | |
| [2] | |
| [3] | |
| [4] | |
| [5] | |
| [6] | |
| [7] | |
| [8] |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%