欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

利用能量过滤磁控溅射技术,于低温条件下,在玻璃衬底上制备ITO薄膜,研究了过滤电极金属网栅目数、溅射功率、衬底温度对ITO薄膜光电性能的影响.结果表明:在网栅目数为60目、衬底温度为81℃、溅射功率为165W的条件下,所得ITO薄膜的电阻率为4.9×10-4Ω·cm,可见光区平均透过率达到87%.

参考文献

[1] Shin JH.;Park JI.;Kim HH.;Shin SH. .Properties of dc magnetron sputtered indium tin oxide films on polymeric substrates at room temperature[J].Journal of Applied Physics,2001(9):5199-5203.
[2] 王生浩,张静全,王波,冯良桓,蔡亚平,雷智,黎兵,武莉莉,李卫,曾广根,郑家贵,蔡伟.溅射功率和氧分压对ITO薄膜光电性能的影响研究[J].功能材料,2009(05):717-719,723.
[3] SangYeol Kim;MuGyeom Kim;SungHun Lee;JeongBae Song;Shinichiro Tamura;SungKee Kang;JongMin Kim .3.0-in. 308-ppi WVGA AMOLED by Top-Emitting White OLED with Color Filter[J].SID International Symposium: Digest of Technology Papers,2008(2):937-939.
[4] 侯建华,刘娟,张玉娟.顶发射结构有机电致发光白光器件研究进展[J].长春理工大学学报(自然科学版),2010(03):80-84.
[5] 林慧,蒋亚东,于军胜,李军建,王军,邓建芳.低温ITO薄膜制备及其在TOLED中的应用[J].光电子·激光,2007(09):1068-1070.
[6] 姚宁,常立红,韩昌报,邢宏伟,葛亚爽,崔娜娜,王英俭,张兵临.能量过滤磁控溅射技术制备ITO薄膜及其特性研究[J].真空科学与技术学报,2011(03):278-282.
[7] 周宏明,易丹青,杨小玲.ITO薄膜的生产技术概况及发展趋势探讨[J].表面技术,2006(01):1-4.
[8] 任丙彦,刘晓平,李彦林,王敏花,羊建坤,许颖.工作气压对磁控溅射ITO薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2007(04):798-801.
[9] 李全友,姚宁,张兵临,葛宝全,王执乾.室温直流磁控溅射制备ITO膜及光电性能研究[J].真空,2008(01):68-70.
[10] 李云奇.低电阻ITO透明导电膜的制备和应用[J].真空,1991(04):55.
[11] 邓建芳,李军建,杨健君.低温ITO膜的制备及光电性能[J].现代显示,2005(12):44-47.
[12] 夏冬林,杨晟,王树林,赵修建.直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究[J].人工晶体学报,2006(02):272-275,232.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%