采用国产钆制作Gd-Si-Ge合金,测量H-M曲线,计算磁熵变(-△Sm)判断其磁热效应.发现采用商业级钆配制合金时,由于杂质抑制了材料的一级相变,未发现巨磁热效应.经提纯后的钆尽管没有Ames实验室的纯度高,但配制的合金具有典型的一级相变,-△Sm值基本上达到Ames实验室报道的数据,而且居里点有所提高.
参考文献
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[5] | GschneidnerKA;PecharskyV K .[J].Journal of Applied Physics,1999,85(08):5365-5368. |
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