Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长

材料科学与工程学报, 2009, 27(1): 118-120.

Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长

成步文 ^1, , 薛春来 ^2, , 罗丽萍 ^3, , 韩根全 ^4, , 曾玉刚 ^5, , 薛海韵 ^6, , 王启明 ^7,

1.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

2.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

3.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

4.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

5.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

6.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

7.中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验窒,北京,100083

基金项目: 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2007CB613404) 国家自然科学基金(60676005) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA032415)

关键词：硅基 , Ge , 外延

Growth of Ge on Silicon by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105 cm-2.原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的.

参考文献

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[8]	Lorenzo Colace;Michele Balbi;Gianlorenzo Masini;Gaetano Assanto;Hsin-Chiao Luan;Lionel C. Kimerling .Ge on Si p-i-n photodiodes operating at 10 Gbit/s[J].Applied physics letters,2006(10):101111-1-101111-3-0.

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