采用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上,外延生长了发光波长位于407 nm的InGaN量子点结构,研究了InN成核层技术对其结构和光学特性的影响.材料生长过程中采用反射式高能电子衍射(RHEED)进行了在位检测,通过原子力显微镜(AFM),光致发光(PL)等测试手段表征了InGaN量子点材料的结构和光学特性.结果表明,相对于直接在GaN层上自组织生长InGaN量子点,通过InN成核层技术可以获得高密度、高质量的InGaN量子点结构,量子点尺寸分布更加均匀,主要集中在35～45 nm之间；量子点的密度更高,可以达到3.2×1010/cm2；InN 成核层上生长的InGaN量子点的PL发光峰强度为直接在GaN层上生长的InGaN量子点的2倍,发光峰的半高宽较窄,为10 nm.
参考文献
| [1] | Nakamura S.;Nagahama S.;Iwasa N.;Yamada T.;Matsushita T. Kiyoku H.;Sugimoto Y.;Kozaki T.;Umemoto H.;Sano M.;Chocho K.;Senoh M. .Continuous-wave operation of InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes grown on GaN substrates[J].Applied physics letters,1998(16):2014-2016. |
| [2] | Park I K et al.[J].Applied Physics Letters,2008,92:2531051. |
| [3] | 薛成山,李红,庄惠照,陈金华,杨兆柱,秦丽霞,王英,王邹平.钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线[J].稀有金属材料与工程,2009(07):1129-1131. |
| [4] | 魏同波,王军喜,李晋闽,刘喆,段瑞飞.MOCVD生长GaN力学性能研究[J].稀有金属材料与工程,2007(03):416-419. |
| [5] | Taniyasu Y;Kasu M;Makimoto T .An aluminium nitride light-emitting diode with a wavelength of 210 nanometres[J].Nature,2006(7091):325-328. |
| [6] | Adelmann C et al.[J].Applied Physics Letters,2000,76:1570. |
| [7] | Damilano B et al.[J].Applied Physics Letters,1999,75:3751. |
| [8] | Yao H H et al.[J].Nanotechnology,2006,17:1713. |
| [9] | Ee, YK;Zhao, HP;Arif, RA;Jamil, M;Tansu, N .Self-assembled InGaN quantum dots on GaN emitting at 520 nm grown by metalorganic vapor-phase epitaxy[J].Journal of Crystal Growth,2008(7/9):2320-2325. |
| [10] | 孟涛 et al.[J].稀有金属材料与工程,2005,34(12):1849. |
| [11] | 王保柱,王晓亮.射频分子束外延生长AlInGaN四元合金[J].无机材料学报,2009(03):559-562. |
| [12] | Han XX;Li JM;Wu JJ;Wang XH;Li DB;Liu XL;Han PD;Zhu QS;Wang ZG .Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots[J].Vacuum: Technology Applications & Ion Physics: The International Journal & Abstracting Service for Vacuum Science & Technology,2005(3):307-314. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%