提高掺Er硅发光效率的途径与前景

材料导报, 2000, 14(10): 26-28.

提高掺Er硅发光效率的途径与前景

肖志松 ^1, , 徐飞 ^2, , 张通和 ^3, , 程国安 ^4, , 杨锡震 ^5, , 顾岚岚 ^6, , 王迅 ^7,

1.北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875

2.南昌大学材料科学与工程系,南昌,330047

3.北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875

4.南昌大学材料科学与工程系,南昌,330047

5.北京师范大学分析测试中心,北京,100875

6.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

7.复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433

基金项目: 复旦大学校科研和教改项目国家自然科学基金(59671051)

关键词：掺Er硅 , 发光 , 发光效率

Current Status and Prospect of Investigation on Luminescence of Erbium-doped Silicon

阐述了掺Er硅发光的研究意义和现状,总结了掺Er硅的材料性能、发光机理、提高发光效率的途径、制备方法,以及掺Er硅LEDs器件的行为和来来展望.

参考文献

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