为深刻理解Sn晶须转向生长现象的本质并建立其生长机制,利用稀土相CeSn,与ErSn3易氧化的特性实现了Sn晶须的加速生长,采用扫描电镜观察了Sn晶须在快速生长过程中展现出的生长行为.实验结果表明,时效过程中在稀土相的表面生长出大量的Sn晶须,一些Sn晶须的生长方向发生连续改变,少数Sn晶须在转向生长的同时出现变截面生长现象.Sn晶须根部的受力不均是其产生转向生长的原因,而Sn原子的供给速率与Sn晶须生长速率的不协调是Sn晶须产生变截面生长的原因.
参考文献
| [1] | 郝虎,史耀武,夏志东,雷永平,郭福.稀土相表面Sn晶须生长的研究[J].电子元件与材料,2009(08):35-38. |
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