氧化钪掺杂、亚微米结构多孔钨基扩散阴极的研究

功能材料, 2004, 35(z1): 1374-1382.

氧化钪掺杂、亚微米结构多孔钨基扩散阴极的研究

古昕 ^1, , 刘伟 ^2, , 潘克新 ^3, , 张珂 ^4, , 袁海清 ^5, , 王亦曼 ^6, , 王金淑 ^7, , 李季 ^8, , 周美玲 ^9,

1.北京工业大学,材料与工程学院教育部功能材料重点实验室,北京,100022

2.北京工业大学,材料与工程学院教育部功能材料重点实验室,北京,100022

3.北京真空电子技术研究所,北京,100016

4.北京真空电子技术研究所,北京,100016

5.北京真空电子技术研究所,北京,100016

6.北京工业大学,材料与工程学院教育部功能材料重点实验室,北京,100022

7.北京工业大学,材料与工程学院教育部功能材料重点实验室,北京,100022

8.北京真空电子技术研究所,北京,100016

9.北京工业大学,材料与工程学院教育部功能材料重点实验室,北京,100022

关键词：钪钨阴极 , 离子轰击 , 氧化钪 , 显微结构 , 电子发射性能

The study of scandate-type cathode with sub-micron structure Sc2O3 doped porous tungsten bodies

为了改进氧化钪的分布均匀性及提高阴极表面氧化钪的扩散补充能力,作者在前期研究的基础上,分别采用液固掺杂和液液掺杂的方法制备了Sc2O3掺杂W粉基材,研究了利用这种W粉制作多孔钨基体的工艺技术和多孔体的微观结构.研究表明在改进压制、烧结技术的基础上,可以获得具有适当孔度的亚微米结构多孔基体.氧化钪在基体中的分布得到进一步改进.在这种基体中铝酸盐的浸渍率可以达到常规浸渍阴极的要求.发射试验结果表明,阴极具有很高的发射水平.研究还证实多孔体的结构越趋细微,越有利于阴极的发射均匀性和耐离子轰击的性能的改善.

参考文献

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