分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料.采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构.研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98％,介电性能在X波段ε'为14.01 ～13.98,tgδ为0.158 ～0.163,在Ku波段ε'为11.48 ～10.96,tgδ为0.18 ～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95％,在X波段的ε'为26.97 ～24.26,tgδ为0.326 ～0.327.探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理.
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