掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究

人工晶体学报, 2009, 38(3): 772-776.

掺杂量对ZnO陶瓷靶材性能影响的研究

赵静 ^1, , 刘丽杰 ^2, , 蔡宁 ^3, , 薛俊明 ^4, , 赵颖 ^5,

1.天津新华职工大学,天津,300040

2.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

3.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

4.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

5.南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

基金项目: 国家重点基础研究发展规划(973计划)(2006CB202602;2006CB202603) 天津市重点基金(06YFJZJC01700)

关键词： ZnO , 掺杂 , 电学特性

Study on Effect of Doping Content on the Performance of ZnO Ceramic Target

以ZnO、Al2O3粉体为原料,采用常压烧结方法制备高导电性ZnO: Al陶瓷靶材,并系统研究了Al掺杂量对该靶材的晶体结构、微观形貌以及电学特性的影响.结果表明:Al2O3掺杂量是影响ZnO陶瓷靶材导电性的重要因素之一.随Al: Zn原子比从0: 100变化至8.0: 100,电阻率呈现先递减后递增的规律.当Al: Zn原子比为4.0: 100时,所制备的ZnO陶瓷靶材电阻率最低,为4.1×10-3 Ω·cm;当Al掺杂量超过某一数值后,将导致锌铝尖晶石相(ZnAl2O4)的生成,从而使材料的电阻率升高.为了获得高导电性能的ZnO靶材,必须精确控制Al的掺入量,以防止锌铝尖晶石的生成.

参考文献

[1]	Major S;Stayendra K;Bhatnagar M et al.Effect of Hydrogen Plasma Treatment on Transparent Conducting Oxides[J].Applied Physics Letters,1986,49(07):394-396.
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