以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500 ℃、1550 ℃、1600 ℃制备了SiC晶须.通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC晶须形貌的影响,探讨了晶须的生长机理.结果表明:当合成温度为1500 ℃时,所合成的SiC晶须形貌呈竹节状,选区电子衍射分析发现孪晶等面缺陷在晶须的生长方向上周期性出现;当合成温度在1550 ℃以上时,哑铃状晶须的数量会急剧增多,分析表明晶须表面包裹的串珠小球为β-SiC.在晶须的顶端发现催化剂熔球,由此推测生长机理为VLS机理,但当合成温度超过1550 ℃时,SiC会以VS生长机理沿径向沉积生成哑铃状晶须.
参考文献
| [1] | Leu IC.;Hon MH.;Lu YM. .SUBSTRATE EFFECT ON THE PREPARATION OF SILICON CARBIDE WHISKERS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J].Journal of Crystal Growth,1996(3/4):607-611. |
| [2] | Leu IC.;Hon MH.;Lu YM. .Factors determining the diameter of silicon carbide whiskers prepared by chemical vapor deposition[J].Materials Chemistry and Physics,1998(3):256-261. |
| [3] | Dan Z;Supapan S .Production of Silicon Carbide Whiskers from Carbon Nanochister[J].Chemical Physics Letters,1994,222:233-238. |
| [4] | Li J B;Peng G;Chen S R et al.Formation and Morphology of 2H-SiC Whiskers by the Decomposition of Silicon Nitride[J].Journal of the American Ceramic Society,1990,73(04):919-922. |
| [5] | Raju C B;Verma S .SiC Whiskers from Rice Hulls:Formation,Purification,and Characterization[J].British Ceramic Transactions,1997,96(03):112-115. |
| [6] | Selvam A.;Singh P.;Nair NG. .Synthesis and characterization of SiC whiskers from coconut shells[J].Journal of Materials Science Letters,1998(1):57-60. |
| [7] | 戴长虹,孟永强,赵茹,宋祖伟.双重加热法合成碳化硅晶须的研究[J].人工晶体学报,2003(01):78-81. |
| [8] | 黄凤萍,李贺军,卢锦花,李克智,郭领军.碳纤维诱导法制备SiC晶须的工艺及机理[J].硅酸盐学报,2007(05):643-647. |
| [9] | 白朔,成会明,苏革,魏永良,沈祖洪,周本濂.哑铃形碳化硅晶须生长的机理[J].材料研究学报,2002(02):136-140. |
| [10] | 白晨,黄志明.铝锆碳质滑板中SiC晶须形成机理[J].钢铁研究,2007(03):8-11. |
| [11] | 王启宝;郭梦熊 .多节状SiC晶须的特性及其应用[J].金刚石与磨料磨具工程,1998,106(04):34-35. |
| [12] | 徐桦;郭梦熊 .SiC晶须特性在SiCw/Si3N4复合材料中所起作用的研究[J].高技术通讯,1994,4(06):26-30. |
| [13] | 李武,靳治良,张志宏.无机晶须材料的合成与应用[J].化学进展,2003(04):264-274. |
| [14] | 宋祖伟,李旭云,赵茹,戴长虹.催化剂对合成碳化硅晶须的影响[J].中国陶瓷,2005(02):28-30. |
上一张
下一张
上一张
下一张
计量
- 下载量()
- 访问量()
文章评分
- 您的评分：
-
10%
-
20%
-
30%
-
40%
-
50%