采用反相微乳液法合成出纳米氧化铟(In2O3),利用其制备出了热线型气体传感器.利用二甲基二乙氧基硅烷(DEMS)的化学气相沉积,在敏感元件表面形成了一层致密的二氧化硅(SiO2)分子筛层,限制了除氢气(H2)以外其它分子直径较大的还原性气体向气敏材料内层的扩散,提高了该传感器对H2的选择性和响应.参考元件的补偿作用降低了环境湿度的影响,通过气敏机理模型讨论了其内在原因.该传感器具有对H2较高的选择性和响应,优良的抗环境影响能力,以及较好的稳定性和较低的功耗.
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