高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度

功能材料, 2008, 39(8): 1259-1263.

高分辨率X射线衍射研究InGaN/GaN多量子阱结构In组分及厚度

李弋 ^1, , 刘斌 ^2, , 谢自力 ^3, , 张荣 ^4, , 修向前 ^5, , 江若琏 ^6, , 韩平 ^7, , 顾书林 ^8, , 施毅 ^9, , 郑有炓 ^10,

1.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

2.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

3.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

4.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

5.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

6.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

7.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

8.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

9.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

10.南京大学,物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

基金项目: 教育部高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004) 江苏省自然科学基金(BK2005210) 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2006CB6049) 国家自然科学基金(6039072;60776001;60421003;60676057) 国家高技术研究发展计划(863计划)(2006AA03A103;2006AA03A118;2006AA03A142)

关键词： InGaN/GaN , 多量子阱 , In组分 , X射线衍射

High-resolution X-ray diffraction studies on the indium content and layer thicknesses in InGaN/GaN multiquantum wells

应用高分辨X射线衍射技术研究了MOCVD在宝石衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱结构.测量(105)非对称面的倒易空间图获得量子阱结构的应变状态.由(002)面三轴衍射0级卫星峰峰位结合应变状况计算获得InGaN层中In含量,从(002)面的ω/2θ衍射谱以及小角反射谱获得多量子阱的一个周期的厚度,GaN层和InGaN层的厚度比.最后通过X射线动力学拟合的方法从(002)面的ω/2θ三轴衍射谱获得In的精确含量是25.5%,InGaN势阱层的精确厚度是1.67nm,GaN阻挡层的精确厚度是22.80nm.

参考文献

[1]	Nakamura S. .InGaN-based blue light-emitting diodes and laser diodes[J].Journal of Crystal Growth,1999(0):290-295.
[2]	Nakamura S.;Nagahama S.;Iwasa N.;Yamada T.;Matsushita T. Kiyoku H.;Sugimoto Y.;Kozaki T.;Umemoto H.;Sano M.;Chocho K.;Senoh M. .Present status of InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes[J].Journal of Crystal Growth,1998(0):820-825.
[3]	Krost A;Blasing J;Lunenburger M et al.[J].Applied Physics Letters,1999,75:689.
[4]	Brandt O.;Waltereit P.;Ploog KH. .Determination of strain state and composition of highly mismatched group-III nitride heterostructures by x-ray diffraction[J].Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal,2002(7):577-585.
[5]	Schuster M;Gervais P O;Jobst B et al.[J].Journal of Physics D:Applied Physics,1999,32:A56.
[6]	许振嘉.半导体的检测与分析[M].北京:科学出版社,2007:191.
[7]	Vickers M E;Kappers M J;Smeeton T M et al.[J].Journal of Applied Physics,2003,94:1565.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网