多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究

人工晶体学报, 2009, 38(3): 576-580.

多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究

刘芳芳 ^1, , 孙云 ^2, , 张力 ^3, , 李长健 ^4, , 乔在祥 ^5, , 何青 ^6, , 王赫 ^7,

1.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

2.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

3.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

4.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

5.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

6.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

7.南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2001AA513020)

关键词： CIGS薄膜 , 太阳电池 , 光强特性 , 弱光特性

Study on Performance of Polycrystalline Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells under Different Irradiance

本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10～100 mW/cm2范围内的性能参数.结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm2时,电池性能衰减明显.这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高.其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退.最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好.

参考文献

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