半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜

功能材料, 2007, 38(1): 81-84.

半导体Si(111)上电沉积NiFe缓冲层薄膜

姜莹 ^1, , 姚素薇 ^2, , 张卫国 ^3, , 王宏智 ^4,

1.天津大学,化工学院应用化学系,杉山表面技术研究室,天津,300072

2.天津大学,化工学院应用化学系,杉山表面技术研究室,天津,300072

3.天津大学,化工学院应用化学系,杉山表面技术研究室,天津,300072

4.天津大学,化工学院应用化学系,杉山表面技术研究室,天津,300072

基金项目: 高等学校博士学科点专项科研项目(20030056034) 国家自然科学基金(50071039;50271046)

关键词：电沉积 , NiFe缓冲层 , 纳米晶 , 生长模式 , AMR

Electrodeposition of NiFe thin films as buffer layers on semiconductor Si (111) substrates

采用电化学沉积法,在半导体硅片上制备了具有纳米晶粒尺寸的NiFe缓冲层薄膜,并确定了获得Ni80Fe20合金的工艺条件.由SEM形貌观测分析,当薄膜名义厚度＞25 nm时,可形成连续性镀层.I-t暂态曲线及STM结果表明,NiFe薄膜在低过电位下以三维岛状模式生长,在高过电位下以二维层状模式生长,其RMS表面粗糙度最小值仅为0.5 nm.XRD结果表明,薄膜为面心立方Ni基固溶体结构,并具有明显的(111)晶面择优取向.当薄膜组成为Ni80Fe20时,各向异性磁电阻效应(AMR)最大,AMR值为1.8%.

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Electrodeposition of NiFe thin films as buffer layers on semiconductor Si (111) substrates

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