GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

稀有金属材料与工程, 2007, 36(4): 587-591.

GaAs/AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

谢正生 ^1, , 吴惠桢 ^2, , 劳燕锋 ^3, , 刘成 ^4, , 曹萌 ^5,

1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100039

2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

4.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314903)

关键词：分布布拉格反射镜 , 气态源分子束外延 , X射线衍射 , 反射谱

GaAs/AlAs DBR Optimized Growth by GSMBE and Its Characterization

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术优化生长了GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)材料,并用X射线衍射(XRD)及反射光谱对其生长质量进行了表征.结果表明,采用5 s间断生长的GaAs/AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长,并且10对GaAs/AlAs DBR的质量优于30对,说明DBR对数越多,周期厚度波动越大,材料质量越差.优化生长得到的30对GaAs/AlAs DBR的反射率大于99%,中心波长为1316 nm,与理论设计结构的模拟结果基本一致,可用作1.3 μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)直接键合的反射腔镜.

参考文献

[1]	Jewell Jack L;Harbison J P;Scherer A et al.[J].IEEE Journal of Quantum Electronics,1991,27(06):1332.
[2]	Ram R J;Yang L;Nauka K et al.[J].Applied Physics Letters,1993,63(20):2474.
[3]	Yoshitaka Ohiso;Chikara Amano;Yoshio Itoh et al.[J].IEEE Journal of Quantum Electronics,1998,34(10):1904.
[4]	Marple D T F .[J].Journal of Applied Physics,1964,35(03):539.
[5]	Wemple S H;DiDomenico M .[J].Physical Review B:Condensed Matter,1971,3(04):1338.
[6]	Stern F .[J].Physical Review,1964,133(6A):1653.
[7]	Gehrsitz S.;Gourgon C.;Herres N.;Vonlanthen A.;Sigg H.;Reinhart FK. .The refractive index of AlxGa1-xAs below the band gap: Accurate determination and empirical modeling[J].Journal of Applied Physics,2000(11):7825-7837.
[8]	Zhang B Y;Solomon G;Weihs G et al.[J].Journal of Crystal Growth,2003,251:777.
[9]	Yang Chida;Ho Chonglong;Wu Mingyuan et al.[J].Solid-State Electronics,2003,47:1763.
[10]	HUANG Zhan-Chao,WU Hui-Zhen.Design of Synthesized DBRs for Long-Wavelength InP-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers[J].中国物理快报（英文版）,2004(02):316-319.
[11]	Fewster Paul F .[J].Semiconductor Science and Technology,1993,8:1915.
[12]	刘春芳,吴宣,吴欢.YBCO厚膜用立方织构Ni基带的X射线衍射研究[J].稀有金属材料与工程,1998(05):259-262.
[13]	Amano C.;Takenouchi H.;Ohiso Y.;Tateno K. .MOVPE growth of C-doped GaAs/AlAs DBRs for wafer fusion[J].Journal of Crystal Growth,1998(4):460-469.
[14]	Gaines J M;Petroff P M;Kroemer H et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1988,6(04):1378.
[15]	丁国庆.[J].光通信技术,1996(02):27.
[16]	Speriosu V S;Vreeland T .[J].Journal of Applied Physics,1984,56(06):1591.
[17]	Thermo V G Semicon.V90 Molecular Beam Epitaxy Operator's Manual[M].Suxxex:Thermo VG Semicon,2002:6.
[18]	Fewster P F .[J].Journal of Physics D:Applied Physics,1993,26:14.

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