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用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001~1020℃,管内温差<4℃.经过两周生长,得到8mm×7mm×0.8mm的绿色ZnSe晶体.XRD表明晶体表面为(111)面;受气固界面形貌影响,双晶衍射半高峰宽为50s;PL谱由DPA和SA两个发光峰组成;并研究了晶体片的吸收光谱、荧光光谱、反射光谱和红外透过等光学性质.

参考文献

[1] Ishibashi A. .II-VI BLUE-GREEN LIGHT EMITTERS[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/4):555-565.
[2] Wherrett BS. .THE NONLINEAR BEHAVIOUR OF II-VI MATERIALS[J].Journal of Crystal Growth,1996(1/4):766-770.
[3] Su Xiao-ping;Yu Huai-zi;Zhe Nai-Lin .[J].Chinese Journal of Rare Metals,1997,21(06):469-476.
[4] Su Chinghua, Polosz W, Feth S, et al, .1998,192:386-394[Q].,1998.
[5] Fujiwara S;Morishita H;Kotani T et al.[J].Journal of rystal Growth,1998,186:60-66.
[6] Hartmann Siche D .[J].Journal of rystal Growth,1994,138:260-265.
[7] Brebrick R F;Liu Haochieh .[J].Journal of Phase Equilibria,1996,17(06):495-501.
[8] Hingerl K;Sitter H .[J].Journal of Crystal Growth,1990,101:180-184.
[9] 马世昌.无机化合物辞典[M].西安:陕西科学技术出版社,1988:278-279.
[10] Cheng Haiyuin;Anderson E E .[J].Journal of Crystal Growth,1989,96:756-762.
[11] Fang CS.;Wei JQ.;Pan QW.;Shi W.;Wang JY.;Gu QT. .Growth of ZnSe single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2000(2/3):542-546.
[12] Reinhold B.;Wienecke M. .Post growth n-type doping of ZnSe-bulk single crystals[J].Journal of Crystal Growth,1999(4):434-440.
[13] Allegrecti F;Carrara A;Pizzini S .[J].Journal of Crystal Growth,1993,128:646-649.
[14] 李名復.半导体物理学[M].北京:科学出版社,1998:162-163.
[15] 白藤纯嗣;黄振岗.半导体物理[M].北京:高等教育出版社,1982:264.
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