以20钢含V型缺陷平板试样为研究对象,通过试验方法和ANSYS仿真方法对试样在拉伸载荷下的应力分布进行反复加载卸载分析,测量了试样表面规定路径的切向和法向的漏磁场分布；分析了V型缺陷对磁记忆信号的影响以及固定位置的磁场值随应力的变化关系；最后将试验结果与模拟结果进行对比,发现试验结果与模拟结果具有很好的一致性.在应力小于50 MPa时磁场值随应力的增加而减小,在应力大于50 MPa时磁场值随应力的增加而增加.变化关系表现出了明显的应力磁化反转现象,磁化反转位置在50 MPa(约是最大应力的30％).
参考文献
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