无籽晶化学气相法生长ZnO晶体

人工晶体学报, 2015, 44(6): 1504-1508.

无籽晶化学气相法生长ZnO晶体

胡永琴 ^1, , 曾体贤 ^2, , 陈太红 ^3, , 王茂州 ^4, , 彭丽萍 ^5, , 王雪敏 ^6, , 吴卫东 ^7,

1.西华师范大学物理与电子信息学院,南充637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳621900

2.西华师范大学物理与电子信息学院,南充637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳621900

3.西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637009

4.西华师范大学物理与电子信息学院,南充637009;中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳621900

5.中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳,621900

6.中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳,621900

7.中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室,绵阳,621900

基金项目: 四川省科技厅应用基础项目(2014JY0133) 西华师范大学基本科研项目(2013C008) 中国博士后科学基金(2013M542294)

关键词： ZnO , 无籽晶化学气相输运 , 透过率

Growth of ZnO Single Crystal by Unseeded Chemical Vapor Transport Method

Keywords： ZnO , unseeded chemical vapor transport , transmittance

采用化学气相法自发成核的方式生长出φ4mm×5 mm ZnO单晶体.分析了化学气相输运机制,获得ZnO-C体系在生长过程中的压强为0.43 MPa,确定以扩散传输为主;设计了新的生长石英安瓿(锥角约为35°),让沿较快面生长的晶核能淘汰其他晶胚,易长大并形成单晶;X射线衍射测试晶体生长显露面为(002)面,其回摆曲线半峰宽为18arcsec;六边形的腐蚀蚀坑确定该面为ZnO(001)的Zn面,位错缺陷密度为103 cm-2量级.晶体在368 nm处出现了较强的紫外发光峰,属带边激子跃迁;紫外透过率在450～1000 nm内达65％,截止波长为390 nm,对应禁带宽度约为3.12 eV.结果表明,采用无籽晶化学气相法生长的ZnO晶体结晶度好,质量较高.

参考文献

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