采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体.比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分.结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4 mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668 nm.测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1∶0.99,且只有1个衍射峰(2θ=27.2°),其晶面指数为(111).SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔.在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07％～62.61％.其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低.
参考文献
| [1] | Bottcher K.;Hartmann H. .ZINC SELENIDE SINGLE CRYSTAL GROWTH BY CHEMICAL TRANSPORT REACTIONS[J].Journal of Crystal Growth,1995(1/4):53-58. |
| [2] | Fang CS.;Wei JQ.;Pan QW.;Shi W.;Wang JY.;Gu QT. .Growth of ZnSe single crystals[J].Journal of Crystal Growth,2000(2/3):542-546. |
| [3] | Fujiwara S.;Hirota Y.;Irikura M.;Matsumoto K.;Kotani T.;Namikawa Y. .Growth of ZnSe single crystal by CVT method with self-moving convection shield[J].Journal of Crystal Growth,1999(1):83-87. |
| [4] | 刘翠霞,坚增运,朱满.ZnSe晶体的气相法制备和性能研究[J].材料导报,2011(06):20-22. |
| [5] | 李文渭,李焕勇,介万奇.单质直接气相生长ZnSe单晶[J].人工晶体学报,2008(05):1051-1055. |
| [6] | Reinhold B.;Wienecke M. .Post growth n-type doping of ZnSe-bulk single crystals[J].Journal of Crystal Growth,1999(4):434-440. |
| [7] | Yamauchi T;Takahara Y;Naitoh M;Narita N .Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method[J].Physica, B. Condensed Matter,2006(0):778-781. |
| [8] | Siche D.;Bottcher K.;Rinas U.;Hartmann H. .Crystal growth of zinc selenide under mu g-conditions[J].Journal of Crystal Growth,2002(3/4):249-256. |
| [9] | 周育先,方珍意,潘伟,杨曜源,张力强,王向阳,肖红涛.低压化学气相沉积法制备ZnSe多晶及其性能研究[J].稀有金属材料与工程,2005(02):306-308. |
| [10] | 刘长友,介万奇.ZnSe单晶CVT法生长与系统优化[J].无机材料学报,2008(04):855-859. |
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