射频溅射制备Ni-SiO2薄膜特性研究

功能材料, 2001, 32(3): 323-324.

1.清华大学,电子工程系,

2.清华大学,电子工程系,

3.大连铁道学院,电子信息分院,

4.清华大学,电子工程系,

Investigating property of Ni-SiO2 films prepared RF sputter

Ni-SiO2金属陶瓷薄膜是制作透明电阻层的材料,用射频磁控溅射反应制备对近紫外透明的Ni-SiO2薄膜,生成的样品均匀、致密,通过控制薄膜中的金属体积百分比可改变薄膜的电阻率及透光性满足实际工艺需求.X射线能谱分析可以估算出Ni在样品中的百分比,各种不同制备条件下的样品透射率有较大的差别.

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