通过热重分析(TGA)、 X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了MoSi2-Mo5Si3复合材料的低温氧化行为, 指出材料低温氧化时, 随Mo5Si3量增多, 材料氧化加剧, 当Mo5Si3含量超过16%(质量分数)时发生"PEST"现象, 所形成的SiO2由于MoO3晶须的大量存在, 使其不能均匀连续地分布于材料表面, 从而加剧了氧化.
参考文献
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