空位缺陷对单层MoS2电子结构的影响

稀有金属, 2015, 44(3): 608-611.

空位缺陷对单层MoS2电子结构的影响

雷天民 ^1, , 吴胜宝 ^2, , 张玉明 ^3, , 刘佳佳 ^4, , 姜海青 ^5, , 张志勇 ^6,

1.西安电子科技大学,陕西西安,710071

2.西安电子科技大学,陕西西安,710071

3.西安电子科技大学,陕西西安,710071

4.西安电子科技大学,陕西西安,710071

5.西安电子科技大学,陕西西安,710071

6.西北大学,陕西西安,710069

基金项目: 国家重大科技专项(2011ZX02707)

关键词：第一性原理 , MoS2 , 空位 , 电子结构

Effects of Vacancy Defects on Electronic Structure of Monolayer MoS2

Keywords： first principles , MoS2 , vacancy defects , electronic structure

为了研究单层MoS2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层MoS2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、MoS2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构.计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成.通过与本征态MoS2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层MoS2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关.

参考文献

[1]	Geim AK;Novoselov KS .The rise of graphene[J].Nature materials,2007(3):183-191.
[2]	Kresse G.;Joubert D. .From ultrasoft pseudopotentials to the projector augmented-wave method[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1999(3):1758-1775.

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Effects of Vacancy Defects on Electronic Structure of Monolayer MoS2

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