退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

功能材料, 2001, 32(5): 504-505.

退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

殷景华 ^1, , 蔡伟 ^2, , 王培林 ^3, , 郑玉峰 ^4, , 王中 ^5, , 李美成 ^6, , 赵连城 ^7,

1.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

2.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

3.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

4.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

5.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

6.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

7.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

关键词：退火温度 , PrSi/Si异质结 , 硅化物 , 薄膜 , 表面形貌

Effect of annealing temperature on the formation of nanometer PtSi/Si heterostructure and the surface morphologies of PtSi films

采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.

参考文献

[1]	Kavanagh K L;Reuter M C;Tromp R M .[J].Journal of Crystal Growth,1997,173:393.
[2]	Domashevskaya EP.;Kashkarov VM.;Yurakov YA. .SILICIDE FORMATION IN THIN FILM PT-SI(111) STRUCTURE BY USXES DATA[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,1997(1/2):135-137.
[3]	Lin T L;Park J S;Gunapala S D et al.[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1995,16(03):94.
[4]	Silverman B G M .[J].Optical Engineering,1990,29(02):91.
[5]	Wittmer M .[J].Journal of Applied Physics,1983,54(09):5081.
[6]	POATE J M;Tu K N;Mayer J W.Thin Films:Interdiffusion and Reaction[M].New York: Wiley Interscience,1978
[7]	Muta a H;Shinoda D .[J].Journal of Applied Physics,1972,43:2913.
[8]	Lau S S;Mayer J W;Tu K N .[J].Journal of Applied Physics,1978,49:4005.

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退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

Effect of annealing temperature on the formation of nanometer PtSi/Si heterostructure and the surface morphologies of PtSi films

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