高介电高压电活性PLZT陶瓷材料的研究

功能材料, 2003, 34(6): 699-701.

高介电高压电活性PLZT陶瓷材料的研究

郑克玉 ^1, , 张端明 ^2, , 周桃生 ^3, , 杨凤霞 ^4, , 李智华 ^5, , 马海峰 ^6, , 严文生 ^7,

1.华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074;湖北大学,物电学院,湖北,武汉,430062

2.华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074;华中科学大学,激光技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074

3.湖北大学,物电学院,湖北,武汉,430062

4.华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074;华中科学大学,激光技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074

5.华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074;华中科学大学,激光技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074

6.湖北大学,物电学院,湖北,武汉,430062

7.华中科技大学,物理系,湖北,武汉,430074;华中科学大学,激光技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074

基金项目: 湖北省自然科学基金(2001ABD099) 湖北省教育厅科技攻关项目(2000B5002) 国家自然科学基金(50272022)

关键词：掺杂 , PLZT , 介电性 , 压电性能

Study on PLZT ceramic material with high dielectric property and high piezoelectric activity

利用改进的固相烧结工艺设计和制备出一种具有高介电常数、高压电系数的PLZT陶瓷材料.研究了Sb2O3、BaTiO3的不同掺杂量对PLZT陶瓷的介电性能和压电性能的影响.实验发现,当Sb2O3和BaTiO3含量的质量百分比均为0.5%时,PLZT陶瓷的介电性能、压电性能较佳,相应的物理参数为:频率为1kHz时室温相对介电常数εr=4500,压电常数d33=640pC/N,压电耦合系数kp=0.7,密度ρv=7.914g/cm3,居里温度Tc=213℃,介电损耗tgδ=0.0175.该材料在叠层电容器、压电陶瓷固体继电器、压电驱动器及压电电声器件等方面具有良好的应用前景.

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