聚3-己基噻吩的光电性能研究

功能材料, 2006, 37(1): 22-24.

1.河北科技大学,理学院,河北,石家庄,050018;河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018

2.河北科技大学,化学与制药工程学院,河北,石家庄,050018

基金项目: 河北省教育厅博士科研项目(110611) 河北省自然科学基金(202351) 中国科学院资助项目(20203008)

A photoelectrochemical study of the poly(3-hexylthiophene)

利用光电化学方法研究了聚3-己基噻吩的光电化学性质,其禁带宽度为1.89eV,同时确定了它的价带位置(-3.6eV)、导带位置(-5.4eV).研究发现聚3-己基噻吩属于直接跃迁型半导体,在本文条件下得到的最高IPCE值达5.2%

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