微波ECR CVD法制备a-Si:H膜的氢含量研究

功能材料, 2004, 35(z1): 3148-3151.

1.北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022

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基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028201-1)

The study on hydrogen content of a-Si:H thin film synthesized by microwave ECR CVD method

应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.

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