硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究

功能材料, 2006, 37(9): 1392-1394.

硅基高度择优取向PZT厚膜的制备及性能研究

刘保亭 ^1, , 程春生 ^2, , 赵庆勋 ^3, , 闫正 ^4, , 马良 ^5, , 李锋 ^6, , 武德起 ^7,

1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002

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基金项目: 河北省自然科学基金(E2005000130) 河北大学校科研和教改项目(B0406030) 教育部留学回国人员科研启动基金(2005-546) 国家自然科学基金(50572021)

关键词：硅衬底 , 锆钛酸铅 , 溶胶-凝胶法 , 厚膜

Fabrication and investigation of Si-based PZT thick films

应用溶胶-凝胶法成功地在以SrTiO3(STO)为模板/阻挡层Si(001)基片上制备了La-Sr-Co-O/ Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)/La-Sr-Co-O/STO/Si异质结,PZT的厚度为0.8μm.研究了异质结的结构和性能.实验发现,PZT结晶良好、具有(001)高度择优取向以及较高的极化强度和较小的极化强度对脉冲宽度的依赖性;当外加电压为50V时,电阻率仍＞108Ω·cm.

参考文献

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