磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究

材料研究学报, 2015, 29(1): 51-54.

磁控溅射制备非晶铟镓锌氧化物薄膜的电学性能研究

曹明杰 ^1, , 赵明 ^2, , 庄大明 ^3, , 郭力 ^4, , 欧阳良琦 ^5, , 李晓龙 ^6, , 宋军 ^7,

1.先进成形制造教育部重点实验室清华大学材料学院北京100084

2.先进成形制造教育部重点实验室清华大学材料学院北京100084

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7.先进成形制造教育部重点实验室清华大学材料学院北京100084

关键词：无机非金属材料 , IGZO薄膜 , 非晶态半导体 , 磁控溅射 , 迁移率

Electronic Properties of Amorphous Indium-gallium-zinc Oxide Thin Film Fabricated by Magnetron Sputtering

Keywords： inorganic non-metallic materials , IGZO thin film , amorphous semiconductors , magnetron sputtering , mobility

采用中频交流磁控溅射法制备非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜,用XRD、XRF、Hall测试等手段进行表征,研究了溅射电流、氧气流量等工艺参数对其电学性能的影响.结果表明,制备出的IGZO薄膜均为非晶结构,成分与靶材基本一致,电学性能对溅射电流不敏感,而氧气流量的改变可显著影响薄膜的载流子浓度和Hall迁移率.随着氧气流量的增加,薄膜的载流子浓度先增加后减小,而Hall迁移率随着载流子浓度的提高而增加.透过率随着氧气流量的增大先提高然后稳定在90％以上.

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