离子注入对CuxS薄膜的影响

功能材料, 2000, 31(5): 556-557.

1.清华大学电子工程系,北京,100084

2.清华大学电子工程系,北京,100084

Effect of Ions Beam Implantation on CuxS Thin Films

讨论了CuxS薄膜经氮离子注入后对薄膜的特性影响,铜硫化合物薄膜是经两次蒸发制备在玻璃上.实验发现氮离子束注入引起了CuxS薄膜中的铜与硫成分的改变,明显现察到样品中的铜对硫的比值随注入离子束强度的增加而变大.经过透射光谱的分析对比证实了确有新的CuxS状态出现.

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